未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
60A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Laite DH065N04P Specification.pdf
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L -220C 30V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 -220C 85V 100A Laite DHS065N85 Specification.pdf
10.6A 700V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10.6A Laite DJF420N70T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 -220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 150V LOW VF SchottkyBarrierDiodi MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT -220C 150V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
30A 45V SchottkyBarrierDiode MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45V 30A
140A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
200A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Laite DH020N03(B39) Specification.pdf
N-kanavainen tehostustila MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
130A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 -220C 40V 180A Laite DHS020N04 Specification.pdf
16A 400V pikapalautusdiodi MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Laitteen DH060N03R Specification.pdf
120A 70V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datasheet+V3.0 (1).pdf
40A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Laitteen DCCT40D120G4 Specification.pdf
4.8A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
15A 1200V SiC Schottky Barrier Diodi DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Laitteen DCGT15D120G4 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com