未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSU010N04LA TULLIpaketti DSU010N04LA
10A 200V SchottkyBarrierDiode MBRE10200CT TO-263 MBRE10200CT TO-263 200V 10A 英文版MBRE10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
50A 30V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30V 50A DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
3A 900 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900V 3A Laitteen DH3N90 Specification.pdf
150V/9,5mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150V 52A Donghai+DHS110N15F+Datasheet+V1.0.pdf
4,5 A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650V 4,5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
10.6A 700V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10.6A Laite DJD420N70T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
7.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6A DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Device 640 Specification.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A -220C 150V 115A
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L -220C 30V 150A DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 -220C 85V 100A Laite DHS065N85 Specification.pdf
10.6A 700V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10.6A Laite DJF420N70T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 -220C 120V 36A DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 150V LOW VF SchottkyBarrierDiodi MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT -220C 150V 20A 英文版MBR20R150CT技术规格书.pdf
80A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Laitteen DHS065N85P Specification.pdf
30A 45V SchottkyBarrierDiode MBR3045CT TO-3P MBR3045CT TO-3PN 45V 30A
200A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Laite DH020N03(B39) Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com