未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

Kaikki tuotteet

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
96A 100V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DFN5X6 DSP051N10N Dfn5*6-8 100 V 96a Laite DSP051N10N -spesifikaatio Rev.1.0.pdf
60A 300 V nopea palautus diodi MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300 V 60a 英文版 Mur6030nca 技术规格书 .pdf
50A 650 V: n trenchstop-eristetty portti kaksisuuntainen transistori DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 To-247 650 V 50a _DataSheet.pdf
220A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220a Laite DTE025N04NA & DTG025N04NA Specification Rev.1.0.pdf
2A 600V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D2N60 TO-252B D2N60 TO-252B 600 V 2a 英文版 d2n60 技术规格书 .pdf
13A 900V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 13N90 TO-3PN 13n90 TO-3PN 900 V 13a 英文版 13n90 技术规格书 .pdf
100A 100V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS065N10 TO-220C 100 V 95a Laite+DHS065N10+Specification+Rev.2.0.pdf
30a 600 V nopea palautus diodi MURF3060 TO-220-2L MURF3060
6A 650 V: n trenchstop-eristetty portti kaksisuuntainen transistori DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650 V 6a _DataSheet.pdf
80A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
65A 30V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30 V 65a Laite DH033N03R Specification.pdf
9A 900V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 9N90B TO-247 9n90b To-247 900 V 9a 英文版 9N90B 技术规格书 Rev1.0 (1) .pdf
18A 650 V N-kanavan parannusmoodi MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650 V 18a 英文版 F18N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
155A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155a Laite DH035N04 Specification.pdf
Positiiviset jännitesäätimet 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12 V 2MA 英文版 78LXX 技术规格书（ 78L 系列） .pdf
47a 100v N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P Dfn5x6 100 V 47a Laite DH135N10P Specification.pdf
N-Channel Super Junction Power Mosfet 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B Dhdsj7n65 TO-252B 650 V 7a Laite dhdsj7n65 & dhbsj7n65 Specification.doc.pdf
10A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650 V 10a 英文版 F10N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
80A 300 V nopea palautus diodi MUR80G30NCT TO-3PN Mur80g30nct TO-3PN 300 V 80a 英文版 Mur80g30nct 技术规格书 Rev.1.0.pdf
35A 120 V N-kanavan parannustila Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120 V 35a Laite+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröidy uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com