未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
30A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 TO-263 650V 30A Laitteen DCE30D65G4 Specification.pdf
-50A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L -220C -60V -50A Laite+DH300P06L+Specification+Rev.2.0.pdf
7.0A 1700V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 TO-247 1700V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U TOLL 100V 180A Laite+DHS025N10U+Specification+V2.0.pdf
500V/4A puolisilta IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
33A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Laite DH240N06L Tekniset tiedot Rev.2.0.pdf
80A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKETTI DH045N04P DFN5X6 40V 80A Laite DH045N04P Specification(1).pdf
500V/3A puolisilta IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSU010N04LA TULLIpaketti DSU010N04LA
240A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 -220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
Nopeasti palautuva diodi 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT -220C 400V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Laitteen DH030N03P Specification.pdf
130A 85V N-kanavainen lisätilavirta MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
60A 300V pikapalautusdiodi MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 -220C 100V 59A Laitteen DH0159B76 Specification(1).pdf
80A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 -220C 68V 80A Laite DH072N07 Specification.pdf
100A 1200V puolisilta IGBT-moduuli DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com