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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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Diodo de barreira SiC Schottky DCE30D65G4 TO-263 de 30A 650V DCE30D65G4 PARA-263 650 V 30A Especificação do dispositivo DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L PARA-220C -60V -50A Dispositivo+DH300P06L+Especificação+Rev.2.0.pdf
7.0A 1700V canal N SiC Power MOSFET DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 PARA-247 1700V 7A DCC650M170G1_Folha de dados_V1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U PEDÁGIO 100 V 180A Dispositivo+DHS025N10U+Especificação+V2.0.pdf
500V/4A meia ponte IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POP-11 500 V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
33A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD PARA-252B 60V 33A Especificação do dispositivo DH240N06L Rev.2.0.pdf
80A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH045N04P DFN5X6 PACOTE DH045N04P DFN5X6 40V 80A Especificação do dispositivo DH045N04P (1).pdf
500V/3A Meia Ponte IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500 V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B/DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
Pacote de pedágio DSU010N04LA DSU010N04LA
240A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 PARA-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Folha de dados+V2.0.pdf
 Diodo de recuperação rápida 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT PARA-220C 400 V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Especificação do dispositivo DH030N03P.pdf
130A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85 V 130A DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 60A 300V MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 PARA-220C 100 V 59A Especificação do dispositivo DH0159B76 (1).pdf
80A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 PARA-220C 68 V 80A Especificação do dispositivo DH072N07.pdf
Módulo IGBT meia ponte 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200 V 100A DGA100H120M2T.pdf

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