未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

Kõik tooted

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
130A 100V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
16A 400V kiire taastav diood MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
25A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 KUNI -220C 100V 25A Seadme 25N10 spetsifikatsioon.pdf
60A 600V kiire taastav diood MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT TO-3PN 600V 60A 英文版MUR6060NCT技术规格书.pdf
100A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A 30H10_Andmeleht_V1.0.pdf
8A 600 V N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
30A 200V Schottky BarrierDiood HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT KUNI -220C 200V 30A 英文版HMBR30200CT技术规格书.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A DH100P30D_Andmeleht_V1.0+.pdf
174A 85V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Seadme DHS030N88 spetsifikatsioon.pdf
Schottky BarrierDiode 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220M 200V 10A 英文版MBR10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Seadme DH100P20 spetsifikatsioon.pdf
45A 100V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
96A 40 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A DH033N04P+_Andmeleht_V1.0.pdf
180A 135V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DSG052N14N KUNI -220C 135V 180A DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
3-tasemeline NPC inverteri moodul IGBT moodul DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T Pin määramine 650V 270A DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
16A 600 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET F16N60 TO-220F F16N60

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com