未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

Të gjitha Produktet

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68A DH140N10B&DH140N10D_Sheet_V1.0.pdf
130A 100V 100 V Modaliteti i Përmirësimit të Fuqisë MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
16A 400V diodë me rikuperim të shpejtë MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400 V 16A 英文版MURF1640CT技术规格书REV1.0.pdf
25A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100 V 25A Specifikimi i pajisjes 25N10.pdf
60A 600V diodë me rikuperim të shpejtë MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT TO-3PN 600 V 60 A 英文版MUR6060NCT技术规格书.pdf
100A 30V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30 V 100A 30H10_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
8A 600V 600V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600 V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
30A 200V SchottkyBarrierDiode HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT TO-220C 200 V 30 A 英文版HMBR30200CT技术规格书.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100 V -35A DH100P30D_Fletë e të dhënave_V1.0+.pdf
174A 85 V-kanal N-Rritjes Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85 V 174A Specifikimi i pajisjes DHS030N88.pdf
SchottkyBarrierDiode 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220 M 200 V 10A 英文版MBR10200CT技术规格书REV-1.1.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100 V -20 A Specifikimi i pajisjes DH100P20.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 45A 100 V Fuqia MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100 V 45A DHS160N100D_Fletë e të dhënave_V2.0.pdf
96A 40V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40 V 96A DH033N04P+_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
MOSFET me fuqi 180A 135V të modalitetit të përmirësimit të kanalit N DSG052N14N TO-220C 135 V 180 A DSE050N14N&DSG052N14N_Fleta e të dhënave_V2.0(1).pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100 V 60 A DSD150N10L3&DSB150N10L3_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
Moduli inverter NPC me 3 nivele Moduli IGBT DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T Detyrë me pin 650 V 270 A DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
16A 600V 600V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET F16N60 TO-220F F16N60

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com