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江蘇東海半導体有限公司
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 NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_データシート_V1.0.pdf
130A 100V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS037N10/DHS037N10F/DHS037N10E
16A 400V ファストリカバリダイオード MURF1640CT TO-220F MURF1640CT TO-220F 400V 16A 和訳版MURF1640CT技術术规格书REV1.0.pdf
25A 100V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 25N10 TO-220C 25N10 TO-220C 100V 25A デバイス 25N10 仕様.pdf
60A 600V ファストリカバリダイオード MUR6060NCT TO-3PN MUR6060NCT TO-3PN 600V 60A 和訳版MUR6060NCT技术规格书.pdf
100A 30V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30時10分 TO-252B 30V 100A 30H10_データシート_V1.0.pdf
8A 600V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600V 8A 和訳版F8N60技術术规格书.pdf
30A 200V ショットキーバリアダイオード HMBR30200CT TO-220C HMBR30200CT TO-220C 200V 30A 和訳版HMBR30200CT技术规格书.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A DH100P30D_データシート_V1.0+.pdf
174A 85V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A デバイス DHS030N88 仕様.pdf
ショットキーバリアダイオード 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT TO-220M 200V 10A 和訳版MBR10200CT技術术规格书REV-1.1.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A デバイス DH100P20 仕様.pdf
45A 100V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A DHS160N100D_データシート_V2.0.pdf
96A 40V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A DH033N04P+_データシート_V1.0.pdf
180A 135V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DSG052N14N TO-220C 135V 180A DSE050N14N&DSG052N14N_データシート_V2.0(1).pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A DSD150N10L3&DSB150N10L3_データシート_V1.0.pdf
3 レベル NPC インバータ モジュール IGBT モジュール DGQ450C65M2T DGQ450C65M2T ピン割り当て 650V 270A DGQ450C65M2T-REV1.5.pdf
MUR6030BCT TO-247S MUR6030BCT
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
16A 600V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET F16N60 TO-220F F16N60

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