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Diodo de barrera Schottky de SiC de 30A 650V DCE30D65G4 TO-263 DCE30D65G4 A-263 650V 30A Especificación del dispositivo DCE30D65G4.pdf
-50A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60V -50A Dispositivo+DH300P06L+Especificación+Rev.2.0.pdf
MOSFET de potencia SiC de canal N de 7.0A 1700V DCC650M170G1 TO-247 DCC650M170G1 A-247 1700V 7A DCC650M170G1_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U PEAJE 100V 180A Dispositivo+DHS025N10U+Especificación+V2.0.pdf
Medio puente 500V/4A IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF POE-11 500V 4A DPQA04HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 33A 60V DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Dispositivo DH240N06L Especificación Rev.2.0.pdf
PAQUETE MOSFET DH045N04P DFN5X6 de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 40V DH045N04P DFN5X6 40V 80A Especificación del dispositivo DH045N04P(1).pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MF ESOP-9 500V 5A DPQB05HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSU010N04LA Paquete de PEAJE DSU010N04LA
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 240A 60V DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+Hoja de datos+V2.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400V 20A 英文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 96A 30V DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Especificación del dispositivo DH030N03P.pdf
MOSFET de potencia DSP038N08NA DFN5X6 del modo de mejora del canal N de 130A 85V DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 300V MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT A-3PN 300V 60A 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 100V DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100V 59A Especificación del dispositivo DH0159B76(1).pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
Módulo IGBT de medio puente 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf

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