MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 33A 60V DH240N06LD TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 33 A y 60 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Convertidores CC-CC 

● Control total del puente

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
60V	24mΩ	33A