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33A 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH240N06LD TO-252B

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Die mit der ROHS -Standardverfügbarkeit übereinstimmen
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33A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konverter 

● Vollbrückenkontrolle

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
60 V 24mΩ 33a


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