gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 33a 60V N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET DH240N06LD TO-252B

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

33A 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH240N06LD TO-252B

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan
ketersediaan standar ROHS:
Kuantitas:

33A 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 deskripsi

Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Rendah pada resistensi 

● Biaya gerbang rendah 

● Pergantian cepat 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi 

● Aplikasi switching daya 

● Konverter DC-DC 

● Kontrol jembatan penuh

VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL
60v 24mΩ 33a


Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda