geçit
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » Mosfet » 12V-300V N MOS » 33A 60V N Kanal Geliştirme Modu Güç Mosfet DH240N06LD TO-252B

yükleme

Paylaşın:
Facebook Paylaşım Düğmesi
Twitter Paylaşım Düğmesi
Hat Paylaşım Düğmesi
WeChat Paylaşım Düğmesi
LinkedIn Paylaşım Düğmesi
Pinterest Paylaşım Düğmesi
WhatsApp Paylaşım Düğmesi
sharethis paylaşım düğmesi

33A 60V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH240N06LD TO-252B

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS Standart Kullanılabilirliğine Uygun
:
Miktar:

33A 60V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET


1 Açıklama

Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur. 


2 Özellik 

● Direnç düşük 

● Düşük kapı şarjı 

● Hızlı anahtarlama 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 


3 Uygulama 

● Güç değiştirme uygulamaları 

● DC-DC dönüştürücüler 

● Tam köprü kontrolü

VDSS RDS (ON) (tip) İD
60V 24mΩ 33a


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • Geleceğe Hazır Olun
    Bültenimize doğrudan gelen kutunuza güncellemeler almak için kaydolun