DSU010N04LA Paquete de PEAJE

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 300 A y 40 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de puerta Splite, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Calificación AEC-Q101 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Gestión de energía para sistemas inversores.

● Gestión de la batería

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
40V	0,8 mΩ	300A