ປະຕູ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » MOSFET » 12V-300V N MOS » ຊຸດ DSU010N04LA ໂທ

ກຳລັງໂຫຼດ

ແບ່ງປັນໄປທີ່:
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ facebook
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ twitter
ປຸ່ມ​ແບ່ງ​ປັນ​ເສັ້ນ​
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ wechat
linkedin ປຸ່ມການແບ່ງປັນ
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ pinterest
ປຸ່ມການແບ່ງປັນ whatsapp
ແບ່ງປັນປຸ່ມແບ່ງປັນນີ້

ຊຸດໂທ DSU010N04LA

Mosfets ຮູບແບບການເພີ່ມປະສິດທິພາບ N-channel ເຫຼົ່ານີ້ໄດ້ນໍາໃຊ້ການອອກແບບເທກໂນໂລຍີ splite gate trench ກ້າວຫນ້າ, ສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າປະຕູຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
ມີ:
ປະລິມານ:
  • DSU010N04LA

  • WXDH

300A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 ຄຳອະທິບາຍ 

mosfets ຮູບແບບການປັບປຸງ N-channel ເຫຼົ່ານີ້ໄດ້ນໍາໃຊ້ການອອກແບບປະຕູຮົ້ວ Splite ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຢີ, ສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າປະຕູຕ່ໍາ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 


2 ຄຸນສົມບັດ 

● AEC-Q101 ມີຄຸນສົມບັດ 

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ 

● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ 

● ສະຫຼັບໄວ 

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ 

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 


3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

● ແອັບພລິເຄຊັນປ່ຽນພະລັງງານ 

● ການຈັດການພະລັງງານສໍາລັບລະບົບ inverter

● ການຈັດການແບັດເຕີຣີ


VDSS RDS(ເປີດ)(TYP) ID
40V 0.8mΩ 300A


ທີ່ຜ່ານມາ: 
ຕໍ່ໄປ: 
  • ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
  • ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
    ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງກັບ inbox ຂອງທ່ານ