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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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DSU010N04LA Forfait PÉAGE

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
Disponibilité :
Quantité :
  • DSU010N04LA

  • WXDH

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 300 A 40 V


1 Descriptif 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de la technologie Splite Gate, offrant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Qualifié AEC-Q101 

● Faible résistance 

● Faible charge de porte 

● Commutation rapide 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 


3 candidatures 

● Applications de commutation de puissance 

● Gestion de l'énergie pour les systèmes onduleurs

● Gestion de la batterie


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
40V 0,8 mΩ 300A


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