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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Package de péage DSU010N04LA

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie de la tranchée SPLITE GATE, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
Disponibilité:
quantité:
  • DSU010N04LA

  • Wxdh

Mode d'amélioration du canal N 300A 40a MOSFET


1 Description 

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie SPLITE GATE, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

● AEC-Q101 qualifié 

● Faible de résistance 

● Charge de porte basse 

● Commutation rapide 

● Capacités de transfert inverse faibles 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS 


3 applications 

● Applications de commutation d'alimentation 

● Gestion de l'alimentation pour les systèmes d'onduleur

● Gestion de la batterie


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
40V 0,8 mΩ 300A


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