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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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DSU010N04LA TOLL-Paket

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
Verfügbarkeit:
Menge:
  • DSU010N04LA

  • WXDH

300 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● AEC-Q101-qualifiziert 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● Energiemanagement für Wechselrichtersysteme

● Batteriemanagement


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
40V 0,8 mΩ 300A


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