300A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
1 Popis
Tieto výkonové mosfety v režime N-kanálového vylepšenia používali pokročilý dizajn technológie Splite gate, ktorý poskytoval vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Kvalifikácia AEC-Q101
● Nízky odpor
● Nízky poplatok za bránu
● Rýchle prepínanie
● Nízke kapacity spätného prenosu
● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom
● 100 % test ΔVDS
3 Aplikácie
● Aplikácie na prepínanie napájania
● Správa napájania pre invertorové systémy
● Správa batérie
| VDSS |
RDS(zapnuté)(TYP) |
ID |
| 40 V |
0,8 mΩ |
300A |