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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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Pacote de pedágio DSU010N04LA

Esses mosfets de potência no modo de aprimoramento de canal N usaram design avançado de tecnologia de trincheira splite gate, proporcionando excelente Rdson e baixa carga de portão. O que está de acordo com o padrão RoHS.
Disponibilidade:
Quantidade:
  • DSU010N04LA

  • WXDH

300A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência


1 Descrição 

Esses mosfets de potência no modo de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de porta Splite, proporcionando excelente Rdson e baixa carga de porta. O que está de acordo com o padrão RoHS. 


2 recursos 

● Qualificação AEC-Q101 

● Baixa resistência 

● Taxa de portão baixa 

● Troca rápida 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa 

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100% 

● Teste ΔVDS 100% 


3 aplicações 

● Aplicações de comutação de energia 

● Gerenciamento de energia para sistemas inversores

● Gerenciamento de bateria


VDSS RDS(ligado)(TYP) EU IA
40V 0,8mΩ 300A


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