300A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետները օգտագործում էին առաջադեմ Splite gate տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● AEC-Q101 որակավորված
● Ցածր դիմադրություն
● Դարպասի ցածր լիցքավորում
● Արագ միացում
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ
● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ
● Էլեկտրաէներգիայի կառավարում ինվերտերային համակարգերի համար
● Մարտկոցի կառավարում
| VDSS |
RDS(միացված)(TYP) |
ID |
| 40 Վ |
0,8 mΩ |
300 Ա |