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100V/2.2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A A-263 100V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo de medio puente 800A 1200V IGBTMódulo DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5.5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 7A 650V DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 40A 100V DH100P40 TO-220C DH100P40 A-220C 100V 40A Especificación del dispositivo DH100P40.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 30V DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 70V DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
DSG014N04N TO-220CPaquete DSG014N04N A-220C 40V 200A Donghai_DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40A 英文版MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 A-220C 100V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Paquete DSG019N04L TO-220C DSG019N04L A-220C 40V 180A Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Especificación del dispositivo DHP50P04 (DFN56) (1).pdf
Diodo de barrera Schottky MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT A-247 100V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B A-3PN 200V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
Diodo de recuperación rápida 20A 600V MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600V 20A 英文版MUR2060A技术规格书（2L）.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 A-220C 98V 120A Especificación del dispositivo DHS045N98-Rev.1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de 30A 100V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100V 30A 英文版MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia súper unión de canal N de 42A 600V DJC070N60F TO-247 DJC070N60F A-247 600V 42A Especificación del dispositivo DJC070N60F.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 145A 30V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Especificación del dispositivo DH028N03.pdf
transistor bipolar G50T65D TO-3PN de la puerta aislada Trenchstop de 50A 650V G50T65D A-3PN 650V 50A G50T65D 技术规格书.pdf

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