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NPN Epitaxial Silicon Transistor Tip122 TO-220M PAQUETE TIP127 A 220m -100V -5a 英文版 tip127mjd127 技术规格书 .pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor Tip122 TO-220M PAQUETE TIP122 A 220m 100V 5A 英文版 tip122mjd122 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F A 220F 100V 68a DH140N10B & DH140N10D_DATAYATE_V1.0.PDF
25a 100V Modo de mejora del canal MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 A 220c 30V 150a Dispositivo DH025N03 Especificación.PDF
NPN Epitaxial Silicon Transistor MJD127 TO-252 Paquete MJD127 A 252 -100V -5a 英文版 tip127mjd127 技术规格书 .pdf
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D A 252b 100V 110A Dispositivo DHS052N10 Especificación.PDF
120A 30V N-canal Modo de mejora MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P Dfn5x6 30V 120a Dispositivo DH025N03P Especificación (1) (1) .pdf
1200V/16MΩ/110A SIC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 To-247 1200V 110A Dcc016m120g3_dataSteet_v1.0.pdf
116A 68V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH070N07 A 220c 70V 100A DH070N07 (T0F) _dataSheet_v1.0.pdf
220A 40V Modo de mejora del canal MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA A 220c 40V 220a Dispositivo DTE025N04NA y DTG025N04NA Especificación Rev.1.0.pdf
Modo de mejora del canal N 30a 60V MOSFET DHDZ24 TO-252B Dhdz24 A 252b 60V 30A Dispositivo DHZ24B31 Especificación.PDF
20A 100V Schottkybarrierdiode MBR20100CT a 252 MBR20100CT A 252 100V 20A 英文版 MBR20100CT 技术规格书 .pdf
50A 120V Modo de mejora del canal MOSFET DH150N12D a 252B Dh150n12d A 252b 120V 50A Dispositivo DH150N12 Especificación.PDF
105A 68V Modo de mejora del canal MOSFET DHS055N07D TO-25BB DHS055N07D A 252b 68V 95a Donghai+DHS055N07B y DHS055N07D+Hoja de datos+V2.0 .pdf
320A 30V Modo de mejora del canal MOSFET MOSFET DH012N03D TO 252B DH012N03D A 252b 30V 320A Dispositivo DH012N03 Especificación.PDF
40MΩ 650V N-canal SIC MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 To-247-4l 650V 52a Dcc040m65g2 y dccf040m65g2_dataSheet_v1.0.pdf
12a 100V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH850N10D TO 252B DH850N10D A 252b 100V 12A Dispositivo DH850N10D Especificación (1) .pdf
Modo de mejora del canal N Potencia MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D A 252b 40V 180A Dispositivo DHS020N04D Especificación.PDF
80A 68V N-canal Modo de mejora MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E A 263 68V 80A Dispositivo DH072N07 Especificación.PDF
320A 30V Modo de mejora del canal MOSFET DH012N03 a 220C DH012N03 A 220c 30V 320A Dispositivo DH012N03 Especificación.PDF

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