brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
10A 150V SchottkyBarrierDiode MBR10150CT TO-220M MBR10150CT TO-220M 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
8N65 TO-220C 8N65
DSU047N15NA MÝTNÍ BALENÍ DSU047N15NA
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Specifikace zařízení DCE20D65G4.pdf
30A 200V Schottkyho bariérová dioda MBRF30200CT TO-220F MBRF30200CT TO-220F 200V 30A 英文版MBRF30200CT技术规格书REV1.0.pdf
20A 400V Dioda rychlé obnovy MURF2040CT TO-220F MURF2040CT TO-220F 400V 20A 英文版MURF2040CT技术规格书REV1.0.pdf
160A 120V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Specifikace zařízení DHS044N12.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
70A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650V 70A Specifikace zařízení DJC070N65M2 Rev.1.0.pdf
70A 82V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82V 70A Specifikace zařízení DH8290.pdf
160A 120V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
600A 1200V Modul polovičního můstku DGD600H120L2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD600H120L2T EconoDUAL3 1200V 600A DGD600H120L2T-REV1.1.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
20A 600V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F20N60 TO-220F F20N60 TO-220F 600V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60V 145A Specifikace zařízení DH045N06.pdf
25A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650V 25A Specifikace zařízení DHSJ25N65F.pdf
20A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Specifikace zařízení DCD20D65G4.pdf
100A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
80A 600V Dioda rychlé obnovy MUR8060FCT TO-3PF MUR8060FCT TO-3PF 600V 80A 英文版MUR8060FCT技术规格书REV1.0.pdf
30mΩ 1200V N-kanál SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky