未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
NPN Epitaxial Silicon Transistor TIP122 TO-220M BALK Tip127 TO-220M -100V -5a 英文版 Tip127MJD127 技术规格书 .pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor TIP122 TO-220M BALK Tip122 TO-220M 100v 5a 英文版 TIP122MJD122 技术规格书 .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100v 68a DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
25A 100V N-CANNEL REŽIMEM REŽIM MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30v 150a Zařízení DH025N03 Specifikace.pdf
Balíček NPN Epitaxial Silicon Transistor MJD127 TO-252 MJD127 TO-252 -100V -5a 英文版 Tip127MJD127 技术规格书 .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100v 110a Zařízení DHS052N10 Specifikace.pdf
120a 30V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30v 120a Specifikace zařízení DH025N03P (1) (1) .pdf
1200V/16MΩ/110A SIC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110a DCC016M120G3_DATASHEET_V1.0.pdf
116a 68V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH070N07 TO-220C 70V 100a DH070N07 (T0F) _Datasheet_V1.0.pdf
220a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220a Zařízení DTE025N04NA & DTG025N04NA Specifikace Rev.1.0.pdf
30a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30a Zařízení DHZ24B31 Specifikace.pdf
20A 100V SCHOTTKYBARIRIERSIODE MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100v 20a 英文版 MBR20100CT 技术规格书 .pdf
50A 120V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50a Specifikace zařízení DH150N12.pdf
105a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68v 95a Donghai+DHS055N07B & DHS055N07D+Datasheet+V2.0 .pdf
320a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30v 320a Zařízení DH012N03 Specifikace.pdf
40mΩ 650V N-Channel SIC Power MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 To-247-4L 650V 52a DCC040M65G2 & DCCF040M65G2_DATASHEET_V1.0.pdf
12A 100V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100v 12a Specifikace zařízení DH850N10D (1) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180a Zařízení DHS020N04D Specifikace.pdf
80a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68v 80a Zařízení DH072N07 Specifikace.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30v 320a Zařízení DH012N03 Specifikace.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com