未命名(1)(8) (1)
portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos
Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

Todos os produtos

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
80A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68 V 80A Especificação do dispositivo DH072N07.pdf
Módulo IGBT meia ponte 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200 V 100A DGA100H120M2T.pdf
50A 200V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Especificação do dispositivo F50N20(1).pdf
80A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Especificação do dispositivo DHS065N10P (1).pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 PARA-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
Diodo de barreira SiC Schottky de 4A 650V DCD04D65G4 PARA-252B 650 V 4A Especificação do dispositivo DCD04D65G4.pdf
20A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 65A 100V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A Especificação do dispositivo DH80N08 B22.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 120A100V D120N10 TO-220C 100 V 120A Especificação do dispositivo D120N10ZR.pdf
Diodo de recuperação rápida 10A 600V MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
300A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSU021N10NA PACOTE DE PORTÁGIO DSU021N10NA PEDÁGIO 100 V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Especificação+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200 V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
10A 800V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
180A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+folha de dados+Rev.1.0.pdf
16A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Ficha técnica V1.0(1).pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 PARA-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
Módulo IGBT meia ponte 50A 1200V DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34mm 1200 V 50A DHG50N120D.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf

Vídeo do produto

  • Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada
    Enviar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnologia por leadong. com