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100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A PARA-263 100V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo meia ponte 800A 1200V IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200 V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA PARA-252B 40V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 PARA-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
40A 100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100V 40A Especificação do dispositivo DH100P40.pdf
100A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH012N03P DFN5 * 6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
100A 70V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
DSG014N04N TO-220CPacote DSG014N04N TO-220C 40V 200A Donghai_DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40A 英文版MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Pacote DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40V 180A Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Especificação do dispositivo DHP50P04 (DFN56) (1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT PARA-247 100V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200 V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
Diodo de recuperação rápida 20A 600V MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600 V 20A 英文版MUR2060A技术规格书（2L）.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98V 120A Especificação do dispositivo DHS045N98-Rev.1.0.pdf
Diodo de barreira Schottky 30A 100V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT PARA-252B 100V 30A 英文版MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
42A 600V canal N Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F PARA-247 600 V 42A Especificação do dispositivo DJC070N60F.pdf
145A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D PARA-252B 30V 145A Especificação do dispositivo DH028N03.pdf
50A 650V Trenchstop isolou o transistor bipolar G50T65D TO-3PN da porta G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf

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