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16A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F16N60 TO-220F F16N60
10A 150V SchottkyBarrierDiode MBR10150CT TO-220M MBR10150CT TO-220M 150V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
8N65 TO-220C 8N65
DSU047N15NA Mautpaket DSU047N15NA
10N80/F10N80/E10N80
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650V 20A Gerätespezifikation DCE20D65G4.pdf
DHU3N90/DHD3N90
30 A 200 V Schottky-Diode MBRF30200CT TO-220F MBRF30200CT TO-220F 200V 30A Siehe MBRF30200CT und REV1.0.pdf
20A 400V Fast-Recovery-Diode MRF2040CT TO-220F MURF2040CT TO-220F 400V 20A Weitere Informationen finden Sie unter MURF2040CT und REV1.0.pdf
160 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 TO-220C 120V 160A Gerätespezifikation DHS044N12.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
70 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650V 70A Gerät DJC070N65M2 Spezifikation Rev.1.0.pdf
70 A 82 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82V 70A Gerätespezifikation DH8290.pdf
160 A 120 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A Donghai_DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
600A 1200V Halbbrückenmodul DGD600H120L2T EconoDUAL3 PAKET DGD600H120L2T EconoDUAL3 1200V 600A DGD600H120L2T-REV1.1.pdf
100 V/15 mΩ/50 A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A Donghai_DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 145 A 60 V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60V 145A Gerätespezifikation DH045N06.pdf
20 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650V 20A Gerätespezifikation DCD20D65G4.pdf
100 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
80A 600V Fast-Recovery-Diode MUR8060FCT TO-3PF MUR8060FCT TO-3PF 600V 80A 英文版MUR8060FCT术规格书REV1.0.pdf

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