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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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NPN epitaxiale Siliziumtransistor TIP122 bis 220m Paket TIP127 To-220m -100V -5a 英文版 TIP127MJD127 技术规格书 .pdf
NPN epitaxiale Siliziumtransistor TIP122 bis 220m Paket TIP122 To-220m 100V 5a 英文版 TIP122MJD122 技术规格书 .pdf
 N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F To-220f 100V 68a Dh140n10b & dh140n10d_datasheet_v1.0.pdf
25A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 25N10 bis 220c DH025N03 To-220c 30V 150a Gerät DH025N03 Spezifikation.pdf
NPN epitaxiale Siliziumtransistor MJD127 TO-252 Paket MJD127 To-252 -100V -5a 英文版 TIP127MJD127 技术规格书 .pdf
 N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D To-252b 100V 110a Gerät DHS052N10 Spezifikation.pdf
120A 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120a Gerät DH025N03P -Spezifikation (1) (1) .pdf
1200 V/16mΩ/110A sic MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 To-247 1200V 110a DCC016M120G3_DATASEET_V1.0.PDF
116A 68V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DH070N07 To-220c 70V 100a DH070N07 (T0F) _datasheet_v1.0.pdf
220A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA To-220c 40V 220a Gerät DTE025N04NA & DTG025N04NA Spezifikation Rev.1.0.pdf
30a 60V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DHDZ24 bis 252B DHDZ24 To-252b 60 V 30a Gerät DHZ24B31 Spezifikation.pdf
20A 100V SchottkybarrierDiode MBR20100CT bis 252 MBR20100CT To-252 100V 20a 英文版 MBR20100CT 技术规格书 .pdf
50A 120V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D To-252b 120 V 50a Gerät DH150N12 Spezifikation.pdf
105A 68V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DHS055N07D bis-252B DHS055N07D To-252b 68 V 95a Donghai+DHS055N07B & DHS055N07D+Datenblatt+v2.0 .pdf
320A 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D To-252b 30V 320a Gerät DH012N03 Spezifikation.pdf
40mΩ 650 V N-Kanal SIC-LeistungsmOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 To-247-4l 650 V 52a DCC040M65G2 & DCCF040M65G2_DATASEET_V1.0.PDF
12A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH850N10D bis 252B DH850N10D To-252b 100V 12a Gerät DH850N10D -Spezifikation (1) .pdf
 N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D To-252b 40V 180a Gerät DHS020N04D -Spezifikation.pdf
80A 68V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E To-263 68 V 80a Gerät DH072N07 Spezifikation.pdf
320A 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 To-220c 30V 320a Gerät DH012N03 Spezifikation.pdf

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