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80 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Gerätespezifikation DH072N07.pdf
100A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
50 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Spezifikation des Geräts F50N20(1).pdf
80 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Gerätespezifikation DHS065N10P (1).pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70术规格书.pdf
4A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Gerätespezifikation DCD04D65G4.pdf
20A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
65 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50术规格书.pdf
80 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A Gerät DH80N08 B22 Specification.pdf
120A100V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D120N10 TO-220C 100V 120A Geräte-D120N10ZR-Spezifikation.pdf
10A 600V Fast-Recovery-Diode MRF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600V 10A Weitere Informationen finden Sie unter MRF1060CT.pdf
300 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSU021N10NA TOLL-PAKET DSU021N10NA MAUT 100V 300A Gerät+DSU021N10NA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
30A 200V Fast-Recovery-Diode MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT术规格书REV1.0.pdf
10 A 800 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+Datenblatt+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datenblatt V1.0(1).pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 13 A 500 V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50术规格书.pdf
50A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34mm 1200V 50A DHG50N120D.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70术规格书.pdf

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