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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
800A 1200V Halbbrückenmodul IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65术规格书REV1.1.pdf
40 A 100 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100V 40A Gerätespezifikation DH100P40.pdf
100 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
100 A 70 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
DSG014N04N TO-220CPaket DSG014N04N TO-220C 40V 200A Donghai_DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40A 英文版MBRF40100CT术规格书REV1.0(1).pdf
 DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
DSG019N04L TO-220C-Paket DSG019N04L TO-220C 40V 180A Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Gerätespezifikation DHP50P04 (DFN56)(1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100V 60A Weitere Informationen finden Sie unter MBR60100BCT.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200V 10A Siehe D92-02B und 3PN.pdf
20A 600V Fast-Recovery-Diode MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600V 20A 英文版MUR2060A术规格书(2L).pdf
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 98 V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98V 120A Gerätespezifikation DHS045N98-Rev.1.0.pdf
30 A 100 V Schottky-Barrierediode MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100V 30A Siehe MBRD30100CT und REV1.0.pdf
42A 600V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600V 42A Geräte-DJC070N60F-Spezifikation.pdf
145 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Gerätespezifikation DH028N03.pdf
50A 650V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650V 50A G50T65D 技术规格书.pdf

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