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10,6 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Geräte-DJF380N65T-Spezifikation Rev.1.0.pdf
80A 1200V Fast-Recovery-Diode MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
75A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Gerät+DTG050P06LA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
80A 200V Fast-Recovery-Diode MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA术规格书.pdf
180 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Gerät+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 60 V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+Datenblatt+Rev.1.0.pdf
150A 1200V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
40 A 1200 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200V 40A G40N120D – Datenblatt.pdf
12A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65术规格书REV1.0.pdf
150A 1200V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__Datenblatt.pdf
SiC-Schottky-Barrierediode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 30 A 100 V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Gerätespezifikation DH100P30AD.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A Siehe F13N50 und R1.1.pdf
110 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Gerät+DH066N06+Spezifikation+Rev.2.0.pdf
23A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D术规格书.pdf
4A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60术规格书.pdf
600A 1200V Halbbrückenmodul DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70术规格书.pdf

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