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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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59 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Gerätespezifikation 60N10B76(1).pdf
85A 150V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Gerätespezifikation DHS110N15D.pdf
5A 800V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
180 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80V 180A Gerätespezifikation DH029N08.pdf
-10A -40V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10A Gerät+DH170P04V+Spezifikation.pdf
150 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
120 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120A Gerät+DH065N06+Spezifikation+Rev.2.0.pdf
60A 300V Fast-Recovery-Diode MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT TO-247 300V 60A Download MUR6030BCT 技术规格书REV.1.0.pdf
10 A 650 V SiC-Schottky-Barrierediode DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Gerätespezifikation DCD10D65G4.pdf
8A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Geräte-DCGT08D65G4-Spezifikation.pdf
100 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A TO-220C 68V 100A Gerätespezifikation DH3205A.pdf
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 30 V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
4A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
180 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
60A 200V Fast-Recovery-Diode MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A 英文版MUR6020BCA术规格书Rev. 1.1.pdf
170 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 1700V Halbbrücken-IGBT-Modul DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Gerätespezifikation DH045N04.pdf
4,8 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Spannungsregler-IC mit drei Anschlüssen L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8mA 英文版L78XX术规格书.pdf

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