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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D bis 252B

Diese Power-MOSFETs des P-Kanal-Verbesserungsmodus verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
Verfügbarkeit:
Menge:

-100 V/33m Ω/-35A P-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Power-MOSFETs des P-Kanal-Verbesserungsmodus verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

• Niedriger Widerstand

• Niedrige Umkehrtransferkapazität 

• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

• 100% ΔVDS -Test 

• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform 


Anwendungen 

• Lastschalter


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-100V 33m Ω -35a



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