-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B

-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET

1 Beschreibung

Diese Leistungs-Mosfets im P-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

• Geringer Widerstand

• Geringe Rückübertragungskapazitäten 

• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

• 100 % ΔVDS-Test 

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform 

Anwendungen 

• Lastschalter

VDSS	RDS(ein) (TYP)	AUSWEIS
-100V	33mΩ	-35A