Verfügbarkeit: | |
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Menge: | |
DH100P30D
Wxdh
To-252b
-100V
-35a
-100 V/33m Ω/-35A P-MOSFET
1 Beschreibung
Diese Power-MOSFETs des P-Kanal-Verbesserungsmodus verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
• Niedriger Widerstand
• Niedrige Umkehrtransferkapazität
• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
• 100% ΔVDS -Test
• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform
Anwendungen
• Lastschalter
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
-100V | 33m Ω | -35a |
-100 V/33m Ω/-35A P-MOSFET
1 Beschreibung
Diese Power-MOSFETs des P-Kanal-Verbesserungsmodus verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
• Niedriger Widerstand
• Niedrige Umkehrtransferkapazität
• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
• 100% ΔVDS -Test
• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform
Anwendungen
• Lastschalter
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
-100V | 33m Ω | -35a |