-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET
1 Deskripsi
MOSFET daya mode peningkatan saluran-P ini menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
• Resistansinya rendah
• Kapasitansi transfer balik yang rendah
• Uji energi longsoran pulsa tunggal 100%.
• Tes ΔVDS 100%.
• Pelapisan Bebas Pb / Bebas Halogen / Sesuai RoHS
Aplikasi
• Saklar beban
| VDSS |
RDS(aktif) (TYP) |
PENGENAL |
| -100V |
33mΩ |
-35A |