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-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B

इन पी-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर मॉसफेट्स में उन्नत ट्रेंच प्रौद्योगिकी डिजाइन का उपयोग किया गया, जो उत्कृष्ट आरडीसन और कम गेट चार्ज प्रदान करता है। जो RoHS मानक के अनुरूप है।
उपलब्धता:
मात्रा:

-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET


1 विवरण

इन पी-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर मॉसफेट्स में उन्नत ट्रेंच प्रौद्योगिकी डिजाइन का उपयोग किया गया, जो उत्कृष्ट आरडीसन और कम गेट चार्ज प्रदान करता है। जो RoHS मानक के अनुरूप है। 


2 विशेषताएं 

• प्रतिरोध पर कम

• कम रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस 

• 100% एकल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा परीक्षण 

• 100% ΔVDS परीक्षण 

• पीबी-मुक्त प्लेटिंग / हैलोजन-मुक्त / RoHS अनुरूप 


अनुप्रयोग 

• लोड स्विच


वीडीएसएस आरडीएस(चालू) (टीवाईपी) पहचान  Ciss@10V Qgd
-100V 33mΩ -35ए 5250pF 19nC



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