-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B

-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET

1 Popis

Tieto výkonové mosfety v režime vylepšenia P-kanálu využívali pokročilý dizajn výkopovej technológie, poskytovali vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 

2 Vlastnosti 

• Nízky odpor

• Nízke kapacity spätného prenosu 

• 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

• 100% test ΔVDS 

• Bezolovnaté pokovovanie / Bez halogénov / v súlade s RoHS 

Aplikácie 

• Spínač záťaže

VDSS	RDS(zapnuté) (TYP)	ID
-100 V	33 mΩ	-35A