-100 V/33 mΩ/-35 A P-MOSFET DH100P30D TO-252B

MOSFET P -100 V/33 mΩ/-35 A

1 Descrizione

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento del canale P utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

• Bassa resistenza

• Basse capacità di trasferimento inverso 

• Test energetico da valanga al 100% a impulso singolo 

• Test ΔVDS al 100%. 

• Placcatura senza piombo/senza alogeni/conforme a RoHS 

Applicazioni 

• Interruttore di carico

VDSS	RDS(acceso) (TIPO)	ID
-100 V	33 mΩ	-35A