81 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHP90N03
1 Beschreibung
Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Geringer Widerstand
● Niedrige Gate-Ladung
● Schnelles Umschalten
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Leistungsschaltanwendungen
● DC-DC-Wandler
● Synchrongleichrichter
● Wechselrichter-Managementsystem
● Elektrowerkzeuge
| VDSS |
RDS(ein) (TYP) |
AUSWEIS |
| 30V |
4mΩ |
81A |