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Diodo de recuperación rápida 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
Módulo IGBT de medio puente 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA A-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
MOSFET F8N65 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 8A 650V F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA A-263 100V 180A Dispositivo+DSE026N10NA y DSG028N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E A-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+hoja de datos+Rev.1.0.pdf
Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
transistor bipolar DGD06F65M2 TO-252B de la puerta aislada Trenchstop de 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A _hoja de datos.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Especificación del dispositivo DH100P30AD.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 110A 60V DH066N06E TO-263 DH066N06E A-263 60V 110A Dispositivo+DH066N06+Especificación+Rev.2.0.pdf
MOSFET F12N60 TO-220F de potencia del modo de mejora del canal N de 12A 600V F12N60 TO-220F 600V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
MOSFET de potencia 23N50D TO-3P del modo de mejora del canal N de 23A 500V 23N50D A-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
MOSFET de potencia B4N60 del modo de mejora del canal N de 4A 600V B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
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MOSFET de potencia D7N70 TO-252B del modo de mejora del canal N de 7A 700V D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

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