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MOSFET de potencia 60N10 TO-220C del modo de mejora del canal N de 59A 100V 60N10 A-220C 100V 59A Especificación del dispositivo 60N10B76 (1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 85A 150V DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Especificación del dispositivo DHS110N15D.pdf
MOSFET F5N80 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 5A 800V F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 180A 80V DH029N08 TO-220C DH029N08 A-220C 80V 180A Especificación del dispositivo DH029N08.pdf
-10A -40V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH170P04V SOP-8 DH170P04V POE-8 -40V -10A Dispositivo+DH170P04V+Especificación.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 150A 150V DHS042N15E TO-263 DHS042N15E A-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 60V DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 A-220C 60V 120A Dispositivo+DH065N06+Especificación+Rev.2.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 300V MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT A-247 300V 60A 英文版 MUR6030BCT 技术规格书REV.1.0.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 10A 650V DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Especificación del dispositivo DCD10D65G4.pdf
diodo de barrera Schottky de 8A 650V SiC DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Especificación del dispositivo DCGT08D65G4.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 68V DH3205A TO-220C DH3205A A-220C 68V 100A Especificación del dispositivo DH3205A.pdf
Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
MOSFET de potencia F4N60 TO-220F del modo de mejora del canal N de 4A 600V F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 180 A y 68 V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
Diodo de recuperación rápida 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 100V DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 A-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Módulo IGBT de medio puente 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 40V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Especificación del dispositivo DH045N04.pdf
MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 4.8A 650V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Regulador de voltaje de tres terminales IC L7815 TO-220M L7815 A-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

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