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MOSFET DJF380N65T TO-220F del poder estupendo de la unión del canal N de 10.6A 650V DJF380N65T TO-220F 650V 10.6A Dispositivo DJF380N65T Especificación Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 1200V MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
Módulo IGBT de medio puente 75A 1200V DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA A-220C -60V -140A Dispositivo+DTG050P06LA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 80A 200V MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA A-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA A-263 100V 180A Dispositivo+DSE026N10NA y DSG028N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E A-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+hoja de datos+Rev.1.0.pdf
Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
Transistor bipolar G40N120D TO-247 de puerta aislada Trenchstop de 40A 1200V G40N120D A-247 1200V 40A G40N120D - hoja de datos.pdf
MOSFET de potencia F12N65 del modo de mejora del canal N de 12A 650V F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
Módulo IGBT de medio puente 150A 1200V DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
transistor bipolar DGD06F65M2 TO-252B de la puerta aislada Trenchstop de 6A 650V DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__datasheet.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Especificación del dispositivo DH100P30AD.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 110A 60V DH066N06E TO-263 DH066N06E A-263 60V 110A Dispositivo+DH066N06+Especificación+Rev.2.0.pdf
MOSFET de potencia 23N50D TO-3P del modo de mejora del canal N de 23A 500V 23N50D A-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
MOSFET de potencia B4N60 del modo de mejora del canal N de 4A 600V B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Módulo medio puente 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
MOSFET de potencia D7N70 TO-252B del modo de mejora del canal N de 7A 700V D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

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