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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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80A 68V N-Canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D A 252b 68V 80A Dispositivo DH072N07 Especificación.PDF
-30A -60V Modo de mejora del canal POWER MOSFET DH300P06D TO-252B Dh300p06d A 252b -60V -30A Dispositivo DH300P06 Especificación.PDF
120A 98V Modo de mejora del canal MOSFET DHS046N10D TO-252B Dhs046n10d A 252b 98V 120a Dispositivo DHS046N10 Especificación.PDF
500V/4A Medio puente IPM DPQA04HB50MF SOP-11 Dpqa04hb50mf SOP-11 500V 4A Dpqa04hb50mf_dataSteet_v1.0.pdf
105A 68V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E A 263 68V 105a Donghai+DHS055N07 y DHS055N07E+Hoja de datos+V2.0 .pdf
500V/5A Medio puente IPM DPQA05HB50MF SOP-11 Dpqa05hb50mf SOP-11 500V 5A Dpqa05hb50mf_dataSteet_v1.0.pdf
60A 68V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56a Dh105n07p_dataSheet_v1.0 (1) .pdf
41A 650V N-canal SIC MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 To-247-4l 650V 41a Dcc060m65g2 y dccf060m65g2_dataSheet_v1.0.pdf
60A 68V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 A 220F 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.PDF
60A 68V N-canal Modo de mejora de la potencia MOSFET DHD50N06 a 252B DHD50N06 A 252b 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.PDF
10A 400V Modo de mejora del canal MOSFET F740 TO-220F F740 A 220F 400V 10A Dispositivo 740 Especificación.PDF
8A 500V Modo de mejora del canal MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 A 251 500V 8A
Modo de mejora del canal N Potencia MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 A 263 80V 180A Dispositivo DH8004 Especificación (2) .pdf
238A 60V N-canal Modo de mejora de potencia MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E A 263 60V 238a Dispositivo DH026N06 Especificación.PDF
75A 650V Módulo de medio puente Módulo IGBT DGA75H65M2T 34 mm DGA75H65M2T 34 mm 650V 75a DGA75H65M2T.PDF
Módulo IGBT del módulo de medio puente de 50a 650V DGA50H65M2T 34 mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.PDF
Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-25BB DHS045N88 A 220c 85V 120a Dispositivo DHS045N88 Especificación-Rev.1.0.pdf
110A 85V Modo de mejora del canal MOSFET MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E A 263 85V 110A Dispositivo DHS055N85 Especificación.PDF
-30A -100V Modo de mejora del canal POWER MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD A 252b -100V -30A Dispositivo DH100P30CB1Q Especificación.PDF
Modo de mejora del canal N MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E A 263 85V 120a Dispositivo DHS045N88 Especificación-Rev.1.0.pdf

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