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Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET 30A 100V DH100P30AD a 252B

Estos Mosfets de potencia de modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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Modo de mejora del canal P Potencia MOSFET 30A 100V


1 descripción

Estos Mosfets de potencia de modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido

● Sistema de gestión de inversores

● Herramientas eléctricas 

● Alerta 


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN 
-100V 47mΩ -30A



descargar Dispositivo DH100P30AD Especificación.PDF

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