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P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 30 A 100 V DH100P30AD TO-252B

Diese Leistungs-Mosfets im P-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 30 A 100 V


1 Beschreibung

Diese Leistungs-Mosfets im P-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● Wechselrichter-Managementsystem

● Elektrowerkzeuge 

● Warner 


VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-100V 47mΩ -30A



herunterladen Gerätespezifikation DH100P30AD.pdf

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