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P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD bis 252B

Diese Power-MOSFETs des P-Kanal-Verbesserungsmodus verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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P-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 30A 100V


1 Beschreibung

Diese Power-MOSFETs des P-Kanal-Verbesserungsmodus verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● Inverter -Management -System

● Elektrowerkzeuge 

● Alarm 


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS 
-100V 47m Ω -30a



herunterladen Gerät DH100P30AD Spezifikation.pdf

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