未命名(1)(8) (1)
שַׁעַר
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
אתה נמצא כאן: בַּיִת » מוצרים » MOSFET » -30V~-100V P MOS » מצב שיפור ערוץ P Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B

טְעִינָה

שתף ל:
כפתור שיתוף בפייסבוק
כפתור שיתוף בטוויטר
כפתור שיתוף קו
כפתור שיתוף wechat
כפתור שיתוף linkedin
כפתור שיתוף pinterest
כפתור שיתוף בוואטסאפ
שתף את כפתור השיתוף הזה

מצב שיפור ערוץ P Power MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B

מכשירי הכוח הללו במצב שיפור ערוץ P השתמשו בעיצוב טכנולוגיית תעלות מתקדמת, סיפקו Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה. מה שמתאים לתקן RoHS.
זמינות:
כמות:
לִשְׁאוֹל הוסף לסל

מצב שיפור ערוץ P Power MOSFET 30A 100V


1 תיאור

מכשירי הכוח הללו במצב שיפור ערוץ P השתמשו בעיצוב טכנולוגיית תעלות מתקדמת, סיפקו Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה. מה שמתאים לתקן RoHS. 


2 תכונות 

● התנגדות נמוכה 

● טעינת שער נמוכה 

● מעבר מהיר 

● קיבולי העברה הפוכה נמוכים

● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית

● 100% בדיקת ΔVDS 


3 יישומים 

● יישומי החלפת חשמל

● מערכת ניהול אינוורטר

● כלי עבודה חשמליים 

● Alertor 


VDSS RDS(מופעל) (TYP) תְעוּדַת זֶהוּת 
-100V 47mΩ -30A



להוריד Device DH100P30AD Specification.pdf

קוֹדֵם: 
הַבָּא: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • הירשם לניוזלטר שלנו
  • התכונן לעתיד
    הירשם לניוזלטר שלנו כדי לקבל עדכונים ישירות לתיבת הדואר הנכנס שלך
    לְהַגִישׁ
זכויות יוצרים © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd טכנולוגיה מאת leadong.com