ゲート
江蘇東海半導体有限公司
現在位置: » 製品
モデル:
パッケージ:
V:
答え:
厳選された製品ライン:

すべての製品

画像 モデル パッケージ V A データシート 詳細 お問い合わせ バスケットに追加
30mΩ 1200V Nチャンネル SiC パワーMOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 45V 低 VF ショットキーバリアダイオード MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45V 20A 和訳版MBR20R45CT技術术规格书.pdf
20A 60V 低 VF ショットキーバリアダイオード HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 TO-252B 60V 20A 和訳版HMBRD20R60技術术规格书TO-252B-REV-1.1.pdf
8A 500V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET F8N50 TO-220F F8N50 TO-220F 500V 8A 東海_F8N50_Datesheet_V1.0.pdf
2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60
81A 30V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF データシート_ V1.0(1).pdf
30A 100V ショットキーバリアダイオード TO-220M MBR30100CT TO-220M 100V 30A 和訳版MBR30100CT技術术规格书REV1.0.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A 東海_DH100P30D_データシート_V1.0+.pdf
13N90
20A 45V ショットキーバリアダイオード MBR2045CT TO-220C MBR2045CT TO-220C 45V 20A 和訳版MBR2045CT技術术规格书.pdf
NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650V 5A 和訳版D5N65-XAD技術术规格书.pdf
20A 200V ショットキーバリアダイオード MBR20200CT TO-220M MBR20200CT TO-220M 200V 20A 和訳版MBR20200CT技術术规格书REV1.1.pdf
DGC60F65M
30A 60V ショットキーバリアダイオード MBR3060CT TO-220M MBR3060CT TO-220M 60V 30A 和訳版MBR3060CT技術术规格书REV1.1(1).pdf
6N90/F6N90
 NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500V 8A 和訳版D8N50技術术规格书REV1.1.pdf
20N90D/20N90B
25A 650V N チャネル スーパージャンクション パワー MOSFET DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650V 25A デバイス DHSJ25N65F 仕様.pdf
10A 200V ショットキーバリアダイオード MBRF10R200CT TO-220F 200V 10A 和訳版MBRF10R200CT技術术规格书.pdf
7N80/F7N80/E7N80

製品ビデオ

  • ニュースレターに登録する
  • 今後の準備をしましょう。
    ニュースレターに登録すると、最新情報が直接受信箱に届きます。