ច្រកទ្វារ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
អ្នកនៅទីនេះ៖ ផ្ទះ » ផលិតផល
ម៉ូដែល៖
កញ្ចប់៖
វី៖
ក៖
បន្ទាត់ផលិតផលដែលបានជ្រើសរើស៖

ផលិតផលទាំងអស់។

រូបភាព គំរូ កញ្ចប់ V A ឯកសារទិន្នន័យ ព័ត៌មានលម្អិត ការសាកសួរ បន្ថែមទៅកញ្ចប់
59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 100V 59 ក ការបញ្ជាក់ឧបករណ៍ 60N10B76(1.pdf
85A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A ឧបករណ៍ DHS110N15D Specification.pdf
5A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 80V 180A ឧបករណ៍ DH029N08 Specification.pdf
-10A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -១០ អេ ឧបករណ៍+DH170P04V+Specification.pdf
150A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E ដល់-២៦៣ 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
120A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 ដល់ -២២០ អង្សាសេ 60V 120A ឧបករណ៍+DH065N06+Specification+Rev.2.0.pdf
60A 300V diode សង្គ្រោះលឿន MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT ដល់-២៤៧ 300V 60A 英文版 MUR6030BCT 技术规格书REV.1.0.pdf
10A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A ឧបករណ៍ DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V ៨ ក ឧបករណ៍ DCGT08D65G4 Specification.pdf
100A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A ដល់ -២២០ អង្សាសេ 68V 100A ឧបករណ៍ DH3205A Specification.pdf
 N-channel Enhancement Mode ថាមពល MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
4A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
180A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
60A 200V diode សង្គ្រោះលឿន MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA ដល់-២៤៧ស 200V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 ដល់-២៦៣ 100V 170 អេ Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
ម៉ូឌុល IGBT ពាក់កណ្តាលស្ពាន 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T ៣៤ ម។ 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A ឧបករណ៍ DH045N04 Specification.pdf
4.8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
និយតករតង់ស្យុងបីស្ថានីយ IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

វីដេអូផលិតផល

  • ចុះឈ្មោះសម្រាប់ព្រឹត្តិប័ត្រព័ត៌មានរបស់យើង។
  • ត្រៀមខ្លួនសម្រាប់
    ការចុះឈ្មោះនាពេលអនាគតសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្រព័ត៌មានរបស់យើងដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានថ្មីៗត្រង់ទៅកាន់ប្រអប់សំបុត្ររបស់អ្នក។