未命名 (1) (8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
Valda produktlinjer:

Alla produkter

Bildmodellpaket v Datablad korgen a till beskriver förfrågan Lägg i
80A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80a Enhet DH072N07 Specifikation.pdf
-30A -60V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30a Enhet Dh300p06 specifikation.pdf
120A 98V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Enhet DHS046N10 -specifikation.pdf
500V/4A halvbrygg IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF Sop-11 500V 4A DPQA04HB50MF_DATASHEET_V1.0.PDF
105A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E Till-263 68V 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datablad+v2.0 .pdf
500V/5A halvbrygg IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF Sop-11 500V 5A DPQA05HB50MF_DATASHEET_V1.0.PDF
60A 68V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A DH105N07P_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
41A 650V N-kanal Sic Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41a DCC060M65G2 & DCCF060M65G2_DATASHEET_V1.0.PDF
60A 68V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60a Enhet 50n06b34 specifikation.pdf
60A 68V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60a Enhet 50n06b34 specifikation.pdf
10A 400V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Enhet 740 Specifikation.pdf
8A 500V N-kanal Förbättringsläge Power MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500V 8a
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 Till-263 80v 180A Enhet Dh8004 -specifikation (2) .pdf
238A 60V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E Till-263 60V 238a Enhet DH026N06 Specifikation.pdf
75A 650V Half Bridge Module IGBT -modulen DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650V 75a DGA75H65M2T.PDF
50A 650V Half Bridge Module IGBT -modul DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.PDF
N-kanal förbättringsläge Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Enhet DHS045N88 Specifikation-Rev.1.0.pdf
110A 85V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E Till-263 85V 110A Enhet DHS055N85 -specifikation.pdf
-30A -100V P-kanalförbättringsläge Power MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30a Enhet Dh100p30cb1q specifikation.pdf
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E Till-263 85V 120A Enhet DHS045N88 Specifikation-Rev.1.0.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registrera dig för vårt nyhetsbrev
  • Gör dig redo för den framtida
    registreringen för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt till din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology av Leadong.com