未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
20A 45V LÅG VF SchottkyBarrierDiode MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
2A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
30A 60V LÅG VF SchottkyBarrierDiode MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
50A 650V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650V 50A _datablad(1)(1).pdf
36A 1200V N-kanal SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200V 36A Enhet DCC080M120A Specifikation.pdf
20A 650V SiC Schottky Barriärdiod DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650V 20A Enhet DCCT20D65G4 Specification.pdf
170A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Enhet DHS020N04P Specifikation Rev.2.0.pdf
20A 200V LÅG VF SchottkyBarrierDiode MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT TO-220C 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
80A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Enhet DH065N04 Specifikation.pdf
10A 100V SchottkyBarrierDiode MBR10100CT TO-252B MBR10100CT TO-252B 100V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
75A 1200V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75A _datablad-V1.2.pdf
12A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Enhet D12N06 Specifikation(TO-252B).pdf
10A 200V SchottkyBarrierDiode MBRF10R200CT TO-220F 200V 10A 英文版MBRF10R200CT技术规格书.pdf
40A 150V SchottkyBarrierDiode MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150V 40A 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
15A 40V P-kanal Enhancement Mode Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
7A 800V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
120A 1200V N-kanal SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200V 120A DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com