未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
10,6A 650V N-kanals Super Junction Power MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Enhet DJF380N65T Specifikation Rev.1.0.pdf
80A 1200V Snabbåterställningsdiod MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
75A 1200V Halvbrygga IGBT-modul DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-kanals förbättringsläge Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Enhet+DTG050P06LA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
80A 200V Snabbåterställningsdiod MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
180A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Enhet+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specifikation+Rev.1.0.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datablad+Rev.1.0.pdf
150A 1200V Halvbryggmodul IGBT-modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
40A 1200V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200V 40A G40N120D - datablad.pdf
12A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
150A 1200V Halvbryggmodul IGBT-modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop isolerad grind bipolär transistor DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__datablad.pdf
SiC Schottky Barrier Diode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Enhet DH100P30AD Specification.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
110A 60V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Enhet+DH066N06+Specifikation+Rev.2.0.pdf
23A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
600A 1200V Halvbryggmodul DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com