gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

Alla produkter

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
800A 1200V Halvbryggmodul IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datablad_V1.0.pdf
7A 650V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
40A 100V P-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100V 40A Enhet DH100P40 Specification.pdf
100A 30V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datablad_V2.0.pdf
100A 70V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A Donghai_DHS043N07P_Datablad_V2.0+.pdf
DSG014N04N TO-220CPacket DSG014N04N TO-220C 40V 200A Donghai_DSG014N04N_Datablad_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40A 英文版MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
 DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
DSG019N04L TO-220C Paket DSG019N04L TO-220C 40V 180A Donghai_DSG019N04L_Datablad_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Enhetsspecifikation DHP50P04(DFN56)(1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
20A 600V Snabbåterställningsdiod MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600V 20A 英文版MUR2060A技术规格书(2L).pdf
 N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98V 120A Enhet DHS045N98 Specifikation-Rev.1.0.pdf
30A 100V Schottky Barrier Diode MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100V 30A 英文版MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
42A 600V N-kanal Super Junction Power MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600V 42A Enhet DJC070N60F Specifikation.pdf
145A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Enhet DH028N03 Specifikation.pdf
50A 650V trenchstop isolerad grind bipolär transistor G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650V 50A G50T65D 技术规格书.pdf

Produktvideo

  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg