未命名(1)(8) (1)
שַׁעַר
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
אתה נמצא כאן: בַּיִת » מוצרים
דֶגֶם:
חֲבִילָה:
V:
א:
קווי מוצרים נבחרים:

כל המוצרים

תמונה דגם חבילה V A גליון פרטים נתונים חקירה הוסף לסל
80A 68V מצב שיפור N-channel Power MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Device DH072N07 Specification.pdf
100A 1200V חצי גשר IGBT מודול DGA100H120M2T 34 מ'מ DGA100H120M2T 34 מ'מ 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
50A 200V מצב שיפור N-channel Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A מפרט התקן F50N20(1). pdf
80A 100V מצב שיפור N-channel Power MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A מפרט התקן DHS065N10P(1).pdf
מצב שיפור N-channel Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4א 英文版D4N70技术规格书.pdf
דיודה 4A 650V SiC Schottky Barrier DCD04D65G4 TO-252B 650V 4א מכשיר DCD04D65G4 Specification.pdf
20A 650V מצב שיפור N-channel Power MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
65A 100V N-channel Mode Power MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V מצב שיפור N-channel Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18א 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V מצב שיפור מצב N-channel Power MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A מכשיר DH80N08 B22 Specification.pdf
120A100V מצב שיפור N-channel Power MOSFET D120N10 TO-220C 100V 120A Device D120N10ZR Specification.pdf
10A 600V דיודת התאוששות מהירה MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
300A 100V מצב שיפור N-channel Power MOSFET DSU021N10NA חבילת אגרה DSU021N10NA אַגרָה 100V 300A Device+DSU021N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
30A 200V דיודת התאוששות מהירה MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
10A 800V מצב שיפור N-channel Power MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
180A 60V מצב שיפור N-channel Power MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+גיליון נתונים+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16א Donghai DHSJ21N65Z גיליון נתונים V1.0(1).pdf
מצב שיפור N-channel Power MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13א 英文版E13N50技术规格书.pdf
50A 1200V חצי גשר IGBT מודול DHG50N120D 34 מ'מ DHG50N120D 34 מ'מ 1200V 50A DHG50N120D.pdf
מצב שיפור N-channel Power MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7א 英文版B7N70技术规格书.pdf

סרטון מוצר

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • הירשם לניוזלטר שלנו
  • התכונן לעתיד
    הירשם לניוזלטר שלנו כדי לקבל עדכונים ישירות לתיבת הדואר הנכנס שלך
    לְהַגִישׁ
זכויות יוצרים © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd טכנולוגיה מאת leadong.com