180A 60V מצב שיפור מצב N-channel Power MOSFET
1 תיאור
MOSFET במצב שיפור N-channel זה משתמש בטכנולוגיית Split Gate Trench מתקדמת, המספקת Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה בו זמנית. מה שמתאים לתקן RoHS.
2 תכונות
● התנגדות נמוכה
● טעינת שער נמוכה
● מעבר מהיר
● קיבולי העברה הפוכה נמוכים
● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית
● 100% בדיקת ΔVDS
3 יישומים
● תיקון סינכרוני ב-SMPS
● בקרת מנוע והנעה
● ניהול סוללות
● UPS
● כלי עבודה חשמליים
| VDS |
RDS(מופעל) (TYP) |
תעודת זהות (מגבלת חבילה) |
| 60V |
1.8mΩ |
180A |