180A 60V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET DHS015N06 TO-220C

180A 60V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

MOSFET พลังงานโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel นี้ใช้เทคโนโลยี Split Gate Trench ขั้นสูง ซึ่งให้ค่า Rdson และ Low Gate ที่ยอดเยี่ยมในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● ความต้านทานต่ำ

● ค่าเกตต่ำ

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● การแก้ไขแบบซิงโครนัสใน SMPS 

● การควบคุมมอเตอร์และการขับเคลื่อน 

● การจัดการแบตเตอรี่ 

● ยูพีเอส 

● เครื่องมือไฟฟ้า

วีดีเอส	RDS (บน) (ประเภท)	ID (ขีดจำกัดแพ็กเกจ)
60V	1.8mΩ	180A