180A 60V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DHS015N06 TO-220C

180A 60V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Denne N-kanal forbedringstilstand power MOSFET bruger avanceret Split Gate Trench teknologi, som giver fremragende Rdson og lav Gate opladning på samme tid. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner 

● Lav modstand

● Lav portladning

● Hurtigt skifte 

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger 

● Synkron ensretning i SMPS 

● Motorstyring og drev 

● Batteristyring 

● UPS 

● Elværktøj

VDS	RDS(on) (TYP)	ID (pakkegrænse)
60V	1,8 mΩ	180A