180A 60V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ez az N-csatornás teljesítménynövelő üzemmódú MOSFET fejlett Split Gate Trench technológiát használ, amely kiváló Rdson-t és alacsony kaputöltést biztosít egyszerre. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Alacsony ellenállás
● Alacsony kaputöltés
● Gyors váltás
● Alacsony fordított átviteli kapacitás
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Szinkron egyenirányítás az SMPS-ben
● Motorvezérlés és hajtás
● Akkumulátorkezelés
● UPS
● Elektromos szerszámok
| VDS |
RDS(be) (TYP) |
ID (csomagkorlát) |
| 60V |
1,8 mΩ |
180A |