MOSFET Daya Mode Peningkatan Saluran N 180A 60V
1 Deskripsi
MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan teknologi Split Gate Trench yang canggih, yang memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan Gerbang yang rendah pada saat yang bersamaan. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Resistensinya rendah
● Biaya gerbang rendah
● Peralihan cepat
● Kapasitansi transfer balik yang rendah
● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● Perbaikan sinkron di SMPS
● Kontrol dan penggerak motor
● Manajemen baterai
● UPS
● Perkakas listrik
| VDS |
RDS(aktif) (TYP) |
ID(batas paket) |
| 60V |
1,8mΩ |
180A |