180A 60V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET
1 Beschrijving
Deze vermogens-MOSFET met N-kanaalsverbeteringsmodus maakt gebruik van geavanceerde Split Gate Trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende Rdson en lage Gate-lading biedt. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
2 Kenmerken
● Weinig weerstand
● Lage poortlading
● Snel schakelen
● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten
● 100% lawine-energietest met enkele puls
● 100% AVDS-test
3 toepassingen
● Synchrone rectificatie in SMPS
● Motorbesturing en aandrijving
● Batterijbeheer
● UPS
● Elektrisch gereedschap
| VDS |
RDS(aan) (TYP) |
ID (pakketlimiet) |
| 60V |
1,8 mΩ |
180A |