180A 60V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS015N06 TO-220C

180A 60V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● ups 

● Elektrowerkzeuge