180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS015N06 TO-220C

180 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung in SMPS 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● USV 

● Elektrowerkzeuge

VDS	RDS(ein) (TYP)	ID (Paketlimit)
60V	1,8 mΩ	180A