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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Module demi-pont 800A 1200V IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200V 800A DGB800H120L2T.pdf
40 V/5,5 mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 7A 650V DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A Fichier DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
Mode d'amélioration du canal P 40A 100V, MOSFET de puissance DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100V 40A Spécifications de l'appareil DH100P40.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 100A 30V DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 100A, 70V, DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
DSG014N04N TO-220CPackage DSG014N04N TO-220C 40V 200A Donghai_DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40A Description du produit MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
 DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Ensemble DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40V 180A Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Spécification du périphérique DHP50P04 (DFN56)(1).pdf
SchottkyBarrierDiode MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100V 60A Fichier MBR60100BCT.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200V 10A Document D92-02B pour 3PN.pdf
Diode de récupération rapide 20A 600V MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600V 20A Manuel MUR2060A.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98V 120A Appareil DHS045N98 Spécification-Rev.1.0.pdf
Diode barrière Schottky 30A 100V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100V 30A Fichier MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance Super jonction canal N 42A 600V DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600V 42A Spécifications de l'appareil DJC070N60F.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 145A 30V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Spécification de l'appareil DH028N03.pdf
transistor bipolaire G50T65D TO-3PN de porte isolée par Trenchstop de 50A 650V G50T65D TO-3PN 650V 50A G50T65D version anglaise.pdf

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