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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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NPN Epitaxial Silicon Transistor TIP122 à 220m package TIP127 À 220m -100v -5A 英文版 TIP127MJD127 技术规格书 .pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor TIP122 à 220m package TIP122 À 220m 100V 5A 英文版 TIP122MJD122 技术规格书 .pdf
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET 68A 100V DH140N10F à 220F Dh140n10f À 220f 100V 68a Dh140n10b & dh140n10d_datasheet_v1.0.pdf
25a 100v Mode d'amélioration du canal N MOSFET 25N10 à-220C DH025N03 À 220c 30V 150a Dispositif DH025N03 Spécification.pdf
NPN Epitaxial Silicon Transistor MJD127 TO-252 MJD127 À 252 -100v -5A 英文版 TIP127MJD127 技术规格书 .pdf
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET 110A 100V DHS052N10D à-252B DHS052N10D À 252b 100V 110a Dispositif dhs052n10 spécification.pdf
120a 30V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH025N03P DFN5 * 6 DH025N03P Dfn5x6 30V 120a Spécification DH025N03P de l'appareil (1) (1) .pdf
1200V / 16mΩ / 110a SIC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 À 247 1200 V 110a Dcc016m120g3_datasheet_v1.0.pdf
116a 68V Mode d'amélioration du canal N MOSFET DH070N07 À 220c 70V 100A DH070N07 (T0F) _datasheet_v1.0.pdf
220A 40V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA À 220c 40V 220A Appareil DTE025N04NA & DTG025N04NA SPÉCIFICATION REV.1.0.pdf
30a 60V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 À 252b 60V 30A Dispositif dhz24b31 Spécification.pdf
20A 100V SchottkyBarrierdiode MBR20100CT à-252 MBR20100CT À 252 100V 20A 英文版 MBR20100CT 技术规格书 .pdf
50a 120V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DH150N12D à-252B DH150N12D À 252b 120 V 50A Dispositif DH150N12 Spécification.pdf
105a 68V Mode d'amélioration du canal N Power MOSFET DHS055N07D à-252B DHS055N07D À 252b 68v 95a Donghai + dhs055n07b & dhs055n07d + fiche technique + v2.0 .pdf
Mode d'amélioration du canal N 320A 30V Power MOSFET DH012N03D à-252B DH012N03D À 252b 30V 320A Dispositif DH012N03 Spécification.pdf
40mΩ 650V MOSFET POWER SIC NANNEL DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 À 247-4L 650V 52a Dcc040m65g2 & dccf040m65g2_datasheet_v1.0.pdf
12A 100V Mode d'amélioration du canal N MOSFET MOSFET DH850N10D à-252B DH850N10D À 252b 100V 12A Dispositif DH850N10D Spécification (1) .pdf
 Mode d'amélioration du canal N MOSFET 180A 40V DHS020N04D à-252B DHS020N04D À 252b 40V 180a Appareil DHS020N04D Spécification.pdf
Mode d'amélioration N 88V 68V MODE MOSFET MOSFET DH072N07E à-263 DH072N07E À 263 68v 80A Dispositif DH072N07 Spécification.pdf
Mode d'amélioration du canal N 320A 30V Power MOSFET DH012N03 à-220C DH012N03 À 220c 30V 320A Dispositif DH012N03 Spécification.pdf

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