Mode d'amélioration du canal N 10A 800V Power MOSFET F10N80 à 220F

Mode d'amélioration du canal N 10A 800V MOSFET

1 Description

Ces VDMOSFET améliorés en n canal N sont obtenus par la technologie plane auto-alignée qui réduisent la perte de conduction, améliorent les performances de commutation et améliorent l'énergie de l'avalanche. Qui correspond à la norme ROHS. TO-220F fournit une tension d'isolation évaluée à 2000V RMS des trois bornes au dissipateur thermique externe. To-220f Series Consintal avec les normes UL (fichier réf: E252906). 

2 caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Capacité améliorée ESD

● Faible de résistance (RDSON≤0,9Ω) 

● Charge de porte basse (Typ: 65NC) 

● Capacités de transfert inverse faibles (Typ: 25pf) 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS 

3 applications 

● Utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée. 

● Circuit d'interrupteur d'alimentation du ballast d'électrons et de l'adaptateur