razpoložljivostjo ROHS: | |
---|---|
Količina: | |
F10n80
WXDH
TO-220F
800V
10a
10A 800V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS. TO-220F zagotavlja izolacijsko napetost, ki je bila ocenjena na 2000 V RMS od vseh treh terminalov do zunanjega ogrevanja. Serija TO-220F je v skladu s standardi UL (datoteka Ref: E252906).
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤0,9Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 65NC)
● Kapacitivnosti nizke povratne prenose (Typ: 25pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja
VDS | Rds (on) (typ) | Id |
800V | 0,72 Ω | 10a |
10A 800V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS. TO-220F zagotavlja izolacijsko napetost, ki je bila ocenjena na 2000 V RMS od vseh treh terminalov do zunanjega ogrevanja. Serija TO-220F je v skladu s standardi UL (datoteka Ref: E252906).
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● ESD izboljšana sposobnost
● Nizko odpornost (rdson≤0,9Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 65NC)
● Kapacitivnosti nizke povratne prenose (Typ: 25pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja
VDS | Rds (on) (typ) | Id |
800V | 0,72 Ω | 10a |