10A 800V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET F10N80 TO-220F

N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับความพร้อมใช้งานมาตรฐาน ROHS

:

ปริมาณ:



สอบถาม เพิ่มลงในตะกร้า

แบบอย่าง:
F10N80
ยี่ห้อ:
wxdh
บรรจุุภัณฑ์:
ถึง 220F
แผ่นข้อมูล:
英文版 f10n80 技术规格书 .pdf
V:
800V
A:
10a

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

10A 800V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET

1 คำอธิบาย

N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS TO-220F ให้แรงดันฉนวนที่ได้รับการจัดอันดับที่ 2000V RMS จากเทอร์มินัลทั้งสามไปยังฮีทซิงค์ภายนอก TO-220F ซีรี่ส์สอดคล้องกับมาตรฐาน UL (อ้างอิงไฟล์: E252906)

2 คุณสมบัติ

●การสลับอย่างรวดเร็ว

●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD

●ความต้านทานต่ำ (rdson≤0.9Ω)

●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 65NC)

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 25pf)

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%

●การทดสอบ 100% ΔVDS

3 แอปพลิเคชัน

●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น

●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์

VDSS	RDS (ON) （TYP)	รหัสประจำตัว
800V	0.72 Ω	10a

ก่อนหน้า:

ต่อไป:

Mosfet