värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 10A 800V N-kanali parendamise režiim Power Mosfet F10N80 TO-220F

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

10A 800V N-kanali tugevdamise režiim Power MOSFET F10N80 TO-220F

Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandavad lülitus jõudlust ja suurendavad laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardse
saadavusega:
kogus:

10A 800V N-kanali parendamise režiimi mootor MOSFET


1 kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandavad lülitus jõudlust ja suurendavad laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. TO-220F pakub isolatsioonipinget, mis on hinnatud 2000 V RMS-ist kõigist kolmest klemmist kuni välise jahutusradiaiseini. TO-220F-seeria vastab UL-i standarditele (faili viide: E252906). 


2 funktsiooni 

● Kiire vahetamine 

● ESD täiustatud võimekus

● Madal takistus (RDSON≤0,9Ω) 

● Madal väravalaeng (tüüp: 65NC) 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 25 pf) 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 


3 rakendust 

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates. 

● Elektronballasti ja adapteri toitelüliti vooluring


VDSS  RDS (ON) (TÜÜP) Isikutunnistus 
800 V 0,72 Ω 10A



Eelmine: 
Järgmine: 
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti