10A 800V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET F10N80 TO-220F

10A 800V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid on saadud isejoonduva tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile. TO-220F tagab isolatsioonipinge, mille nimiväärtus on 2000 V RMS kõigist kolmest klemmist välise jahutusradiaatorini. TO-220F seeria vastab UL standarditele (faili viide: E252906). 

2 Omadused 

● Kiire ümberlülitamine 

● ESD täiustatud võime

● Madal takistus (Rdson≤0,9Ω) 

● Värava madal laetus (tüüp: 65 nC) 

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 25pF) 

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused 

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks. 

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
800V	0,72 Ω	10A